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          • 芯片的“核心力”不仅仅只是设计,还应拥有制造能力

            芯片的“核心力”不仅仅只是设计,还应拥有制造能力

            众所周知,华为如今最棘手的问题在于芯片,华为旗下的手机板块对芯片巨大的需求量,但是华为旗下芯片设计公司华为海思只具备芯片设计,不具备芯片加工能力,因而华为屡屡却被限于芯片加工。 近日,华为创始人任正非的一席话引起一番讨论,他表示“华为今天遇到的困难,是设计的先进芯片,国内的基础工业还造不出来,华为不可能又做产品,又去制造芯片。”众所周知,国内半导体产业国产替代的这场马拉松已经冲刺多年,而我国半导体产业被卡,最关键的一环就是在芯片制造,而以光刻机为代表的设备更是国内无法突破的重要原因。 设备是半导体制造的基石 但市场基本被外资垄断 光刻机被誉为半导体产业 “皇冠上的明珠”,是芯片制造中最核心的机器,整个光刻过程也是芯片生产过程中耗时最长、成本最高、最关键的一步。 目前,光刻机产业基本被荷兰的 ASML、日本的尼康和佳能这三家供应商垄断。根据赛迪顾问数据,全球光刻机市场规模约160亿美元,ASML、尼康和佳能三大龙头总共占据95%市场,其中EUV市场几乎被ASML一家独占。 其实,中国也能生产光刻机,但以中国目前的技术,只能够生产低端一些的光刻机设备,能够制造90nm及以上工艺的芯片,而能够生产7nm甚至5nm芯片的高端光刻机基本上全部靠ASML供货。 国产半导体设备发展正当时 随着中美贸易摩擦的升级,打破垄断、提高国产化率,力争实现半导体设备自主可控是重中之重。在这样的背景下,国家从政策、资金方面支持半导体设备的国产化,国家大基金二期支持重点就放在国产半导体设备和材料上,其中提到将加快开展光刻机、化学机械研磨设备等核心设备,以及关键零部件的投资布局,填补国产工艺设备空白。 在国家政策及基金等因素的支持下,如今,中国的光刻产业也有了一定的起色。 近日,据业内人士透露,上海微电子已经宣布研发出28纳米光刻机,预计这28纳米光刻机将在2021年底到2022年之间进行量产,而且这个28纳米光刻机通过多次曝光之后,可以用于生产14纳米甚至10纳米的芯片。 作为中国大陆技术最先进、规模最大的晶圆代工企业,中芯国际历时多年,制程工艺从0.18微米技术节点发展至如今的N+1工艺。日前,一站式IP和定制芯片企业芯动科技官方宣布,已完成了全球首个基于中芯国际FinFET N+1先进工艺的芯片流片和测试,所有IP全自主国产,功能一次测试通过。 而在光刻机技术研究上,今年以来也是好消息不断:2020年6月,由中国科学院院士彭练毛和张志勇教授组成的碳基纳米管芯片研发团队在新型碳基半导体领域取得了重大的研究成果,并实现了碳基纳米管晶体管芯片制造技术的全球领先地位;2020年7月,中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所成功研发出了一种新型5nm高精度激光光刻加工方法。 虽然这些技术都处于实验室阶段,但至少在一些基础理论上已经取得了突破,未来这些实验室技术有可能会转化为现实的生产技术。相信在我国科研人员、企业等各方的共同努力之下,实现国产替代,缩小跟国际顶尖水平的差距! 芯片加工制造的不足,不仅仅体现于半导体行业,也反应了整个中国与西方国家在制造业上的区别。在制造工艺上,我国制造技术唯有一步一步地慢慢向前探索,绝无捷径可言。

            时间:2020-10-31 关键词: 华为 制造 芯片

          • 18年追赶,联电停止12nm以下先进工艺的研发

            18年追赶,联电停止12nm以下先进工艺的研发

            在半导体行业,每一次变革都十分重要,处于局中,很难判断半导体下一次变革的方向。对于新一代的芯片工艺,面对超高的成本压力以及利益诱惑,到底是放弃还是坚持,只有选择后才知道对错。 两年前,新一代工艺开发所要面临的成本压力以及技术压力,使得晶圆代工厂陷入了一场赌局——是硬着头皮搞下去,还是另谋出路。当时,身为全球第三大晶圆代工厂的联电就做出了一个轰动业界的选择,即停止12nm以下先进工艺的研发。 两年后,台积电和三星在3/5nm先进制程上的你追我赶吸引了整个业界的目光,但根据今年8月拓墣产业研究院最新调研结果显示,我们发现,联电在晶圆代工行业的地位依旧稳固(2018年,全球晶圆代工厂的前三位分别是:台积电、格罗方德、联电。在这两年间,虽有三星这匹黑马强势闯入前三甲,但从营收上看,联电的地位依旧没有改变)。 但从增长情况上看,联电以23%的同比增长成绩,足以傲视其他晶圆代工厂商。而在这个势头中也隐隐透露出了一丝稳中取胜的味道。 一、18年的追赶者,联电的一念之间 2018年,联电做了一个决定——停止12nm以下先进工艺的研发,在晶圆代工市场上不再拼技术,而是更看重投资回报率,赚钱第一。 联电这一念,也意味着他将结束18年的追赶者身份。 2000年,联电作为晶圆代工厂的第二名紧追台积电,双方在代工工艺上一度不相上下。但28nm改变了这种局势——台积电28nm率先量产,其产能及技术成熟度遥遥领先于联电。结果就是,在接下来的一年中,台积电28nm的营收占比迅速从2%爬升到了22%,台积电掌控了这场竞赛的优势。 至此以后,联电就一直追着台积电跑。试图通过研发更先进的工艺来超越的联电,却花了十八年都没有实现这个目标。据相关报道显示,联电由于过度的投资先进制程,导致每次生产时产能利用率必须达到9成以上才能盈利,而这样的营收方式显然不能长久。 于是,联电采取了重大市场策略调整,淡出先进制程的较量,转向发挥在主流逻辑和特殊制程技术方面的优势,强化对成熟及差异化工艺市场的开发。 当时联电表示,在12nm及以上的工艺代工市场上,联电的占有率只有9.1%,营收规模约为50亿美元,一旦市场占有率增长到15%,那么还有60%的市场空间增长,营收将达到80亿美元以上。 摩根士丹的分析师认为,联电这次的举动是把钱用在了正确的地方。 事实也的确如此,根据联电最新发布的2020年第三季度的财报中看,联电在该季度中实现了448.7亿元新台币的营收,这也创下了2004年第二季度以来的新高。值得关注的是,第三季度中联电的28nm营收占比为14%,季增一个百分点。 二、联电手中还有筹码 如果说,选择深耕成熟工艺让联电小赚了一笔,那么,8英寸晶圆需求量的猛增,则是市场坐庄,让联电血赚了一笔。 8英寸以成熟制程为主,功率器件、电源管理IC、影像传感器、指纹识别芯片和显示驱动IC等都需要8英寸晶圆的支持。2015年末,由于终端市场开始发生了变化,一波一波的新热潮,使得产业开始对8英寸晶圆厂芯片产生了热情。 根据广发证券的调研报告显示,汽车电子及物联网中应用的芯片,包括先进辅助驾驶系统及感测器、车用电流控制IC、物联网MCU等在8寸晶圆厂中大量投产,使得2016年下半年开始8 寸晶圆厂的投片量快速提升。 在2018年年初,电源管理、影像传感器、指纹识别芯片和驱动IC带动了8英寸晶圆代工的需求。但与此同时,12英寸晶圆代工也逐渐成为了市场的宠儿,但这却需要相关企业进行大量的投资,而由此产生的巨大成本,以及建厂时程长及新客户拓展不易等诸多因素,使得12英寸晶圆代工的推进还需要很长的一个过程。因此,8英寸晶圆代工仍是众多器件的首选。 到了2019年,市场对8英寸晶圆的需求再次掀起了一个顶峰。据中国证券报的报道显示,国金证券分析师郑弼禹认为,本轮8英寸晶圆产能紧缺始于2019年多摄像头手机带动CMOS图像传感器需求提升。而受疫情影响,全球在家办公、在线教育增多,使得笔记本电脑、平板类产品需求增长,从而拉动驱动芯片及其他半导体产品需求增长,叠加三季度是旺季,使得本轮8英寸晶圆代工景气度超过往年。 而根据市场的情况来看,这种供不应求的状况一直持续到了2020年。在联电最新的财报会议上,王石也指出,在面板驱动IC、电源管理芯片等需求带动下,8英寸产能吃紧情况将延续到明年。 联电近些年来的8英寸产能,也能体现这种市场需求。根据广发证券的调研报告显示,从2017年报披露数据来看,目前联电8寸晶圆产能约占总产能的一半, 2016年平均产能利用率为88.6%,而2017年则攀升至了94.4%。 而根据联电最新的财报显示,在2020年第三季度中,联电出货量达到225万片约当8吋晶圆,8英寸晶圆代工产能依旧紧俏。联电联席CEO王石表示,这主要反映了居家上班与在家学习趋势,持续带来终端市场的稳定需求,例如智慧型手机、电脑设备高速I/O控制器中的无线连接、以及电源管理IC等应用。 (2020年第三季度联电季产能情况) 供不应求的市场状况,也导致了8英寸晶圆身价的水涨船高。 据公开资料显示,联电曾在2018年的一次股东会上确定了启动“一次性涨价”计划。据相关报道显示,当时其旗下 8 英寸厂接单满载,且因硅晶圆涨价明显、导致成本增加,联电自6月起调涨 8英寸代工价格。 两年后的今天,在市场对8英寸晶圆产能需求依旧不减的情况下,联电也再次宣布了一项涨价计划。根据联电在其最新的财报会议上的内容显示,由于目前8英寸需求相当强劲,产能持续紧俏,联电已与客户讨论2021年的产品定价,预计2021年8英寸价格将调涨,而12英寸价格将维持平稳。 联电也表示,8吋晶圆代工产能高度紧俏,联电将持续受惠于涨价效益,同时,其旗下28纳米制程也获许多客户肯定,可望带动12英寸需求看增,其2020年业绩可期创新高。 三、联电8英寸晶圆代工的布局 第一座8寸晶圆厂诞生于1990年,大部分现存8寸晶圆厂建成的时间也都有10年甚至更久。而不抛弃不放弃,也使得8英寸晶圆代工在经历了低谷后,在新应用的爆发下,迎来了新的成长。 根据芯思想研究院的报告显示,联电8英寸代工厂一共有7座。从1995年开始,联电就在8英寸晶圆上下了不少功夫。 1995年7月,联电和Alliance、S3合作成立联诚半导体(United Semiconductor Corp.,USC),即是现在的FAB 8B厂。 1995年8月,联电与Trident、ATi、ISSI等七家公司合作成立联瑞科技(United Integrated Circuits Corporation,UICC),是现在的FAB 8D厂。 1995年9月,联电和两家IC设计公司合作成立联嘉积体电路(United Silicon Incorporated Corp.,USIC),是现在的FAB 8C厂。 1995年9月,联电8英寸晶圆厂(原UMC3,现在FAB 8A)开始生产。 1998年4月,联电收购合泰半导体(现盛群半导体,Holtek)的8英寸晶圆厂(现FAB 8E)。 1998年5月,联电UMC5(现FAB 8F)动工兴建。 2004年7月,联电并购硅统半导体的8英寸晶圆制造厂,是现在的FAB 8S厂。 2013年3月,联电完成收购和舰科技,是现在的FAB 8N厂。 其中,位于苏州的和舰也是联电8英寸晶圆代工的重要角色之一,联电也频频对该厂进行了布局。2018年底,联电宣布将投资超过六十亿人民币去扩充其八英寸和十二英寸产能。根据规划,8英寸厂产能优化将会以子公司苏州和舰科技为主,预计将扩充1万片。在之前,和舰的月产能为六万片,扩产之后,这个数字将会提升到7万片。 最近,还有市场传出,联电因应8吋晶圆代工需求强劲并扩大营运规模,有意斥资新台币百亿元以内,以收购日商东芝8吋晶圆厂。对此,联电则表示,不回应市场传言,强调对并购抱持开放式态度。 除了建厂收购以外,联电对8英寸的投入还表现在投资上。根据公开消息显示,联电在2020年的资本支出预算为10亿美元,以因应中长期客户和市场的需求。联电也将持续执行切入新的市场并扩展既有市场,藉着联电在制程技术及世界级晶圆专工服务的核心竞争力,更加强化在逻辑与特殊制程解决方案的产业地位。 联电在其最新季度的报告中指出,资本支出方面,联电将维持10亿美元年度预算不变,即1.5亿美元用于8英寸,8.5亿美元用于12英寸。 四、加码12英寸晶圆代工布局 市场对8英寸的需求,使得联电赚的盆满钵满。同时,我们也看到,联电正在加紧布局12英寸晶圆代工项目。这或许也是联电走向未来的筹码之一。 8英寸晶圆代工需求的火爆,其中一个原因是大部分8英寸晶圆厂设备已折旧完毕,固定成本较低。大部分晶圆厂现已完全折旧完毕,因此,8英寸晶圆产品在经营成本上极具竞争力。但硅片尺寸扩大也的确会带来成本的降低,伴随着未来产线的成熟,12英寸晶圆代工势必会成为一种趋势,所以,这也引起了晶圆代工厂商们的加紧布局。 目前来看,联电拥有4座12英寸晶圆代工产线,分别是位于台南的Fab 12A、位于新加坡白沙晶圆科技园区Fab 12i、位于中国厦门的联芯FAB12X以及位于日本三重县的USJC。 其中,联电集团于2014年与厦门市政府等合作,在厦门火炬高新区投资建立联芯12寸晶圆厂,2016年开始投产,联电集团持股逾六成,是集团在大陆布局12寸晶圆代工的重要基地,初期以40/55nm制程为主,目前已导入28nm制程技术。 今年2月,联电发布公告称,公司将透过子公司苏州和舰,对厦门联芯(12寸晶圆厂)增资,总金额人民币35亿元(约新台币149.87亿元,以下都以人民币计算),协助联芯扩产。在联电最新的财报会议上,公司也表示,将维持厦门联芯12英寸厂的扩厂计划,目标2021年中左右,将从目前约2万片提升到2.5万片/月。 在12英寸晶圆代工的布局上,联电还曾于去年9月获准以544亿日圆,收购该公司与富士通半导体(FSL)合资的12英寸晶圆厂日本三重富士通半导体(MIFS)全部股权。据相关报道称,此举将扩充联电12英寸晶圆代工产能。 先前放弃12nm以下先进工艺的联电,在晶圆代工市场最后还是选择了回报率第一。但是如今在8英寸市场下赚的盆满钵满的联电,最终还是选择以12英寸晶圆代工为未来的筹码。

            时间:2020-10-31 关键词: 半导体 联电 晶圆厂

          • 微电子所提出基于忆阻器的人工感受神经系统的具体方案

            微电子所提出基于忆阻器的人工感受神经系统的具体方案

            当前,人类社会正由信息化向智能化演进。智能化社会需要高效智能的信息感知系统对感知到的巨量信息进行有效甄别、处理和决策,并对重复无意义的信息进行有效过滤。因此,基于生物感受神经系统的功能特性构建具备生物现实性的高效智能信息感知系统将成为一个重要发展趋势。 近日,中科院微电子所微电子重点实验室刘明院士团队构建提出了基于忆阻器具备习惯化特性的人工感受神经系统的实现方案,并利用习惯化这一生物学习规则构建了可应用于机器人自主巡航避障的习惯化脉冲神经网络。 研究团队基于Mott忆阻器和传感器构建了感受神经元,该神经元能够感知外界的模拟信号并转化成实时的动态脉冲信号,实现了对外界信号进行感知并传输的基本功能。感受神经元进一步通过突触器件与中继神经元相连接构建了习惯化感知系统。 该突触器件具有连续刺激下权值的习惯化演进趋势,进而影响感受神经元信号向中继神经元传输的效率,使中继神经元的输出呈现频率下降特性(即习惯化特性,如图a所示)。基于这一习惯化特性,团队进一步构建习惯化脉冲神经网络用于实现机器人避障功能。 测试结果显示,基于习惯化的学习规则所构建的所示忆阻器基人工感受神经系统能够有效提升机器人的避障效率。 该习惯化感受神经系统还可通过不同的传感器应用于不同的感知系统,如嗅觉、味觉、视觉、听觉等。通过实现生物现实的感知系统,有望实现更具生物智能的终端系统。 a、忆阻器基习惯化感受神经系统示意图及系统响应特性。b、忆阻器基习惯化脉冲神经网络在提升实现机器人避障效率上的验证

            时间:2020-10-31 关键词: 传感器 忆阻器 神经元

          • Vishay Asia荣获北京西门子西伯乐斯电子有限公司2020年度供应商最佳支持奖

            Vishay Asia荣获北京西门子西伯乐斯电子有限公司2020年度供应商最佳支持奖

            宾夕法尼亚、MALVERN —2020年10月30日 —日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,Vishay Intertechnology Asia Pte. Ltd. 荣获北京西门子西伯乐斯电子有限公司(以下简称:BSCE)颁发的2020年度供应商最佳支持奖。BSCE是西门子智能基础设施领域全球最重要的研发和生产中心,长期专注于高性能的消防,暖通空调产品和系统的研发及生产。 在BSCE举行的2020年度供应商大会颁奖仪式上,三家杰出供应商被授予最佳支持奖,该奖项的评审依据是物流及采购表现。Vishay Asia是其中唯一获奖的跨国暨半导体供应商。 BSCE战略采购部经理杜刚表示:“Vishay Asia是我们供应链中的重要合作伙伴,我们极为高兴为其颁发此奖。他们在2020年期间为BSCE提供了大力支持,特别是在按时交付和新项目合作方面表现突出,我们期待着未来与该公司继续合作。” Vishay华北区销售经理赵海波表示:“我们很荣幸荣获此项大奖。这是对Vishay Asia工作的肯定,更进一步加强了我们与BSCE的合作关系。两家公司员工在工作中都能积极沟通,相互支持,在此感谢他们为此做出的努力。”

            时间:2020-10-30 关键词: 西门子 Vishay 供应商

          • Maxim Integrated发布新版健康传感器平台,将可穿戴医疗健康设备开发时间缩短6个月

            Maxim Integrated发布新版健康传感器平台,将可穿戴医疗健康设备开发时间缩短6个月

            中国,北京—2020年10月30日—Maxim Integrated Products, Inc 宣布推出健康传感器平台3.0 (HSP 3.0),将开发时间缩短至少6个月。该款可直接佩戴的腕戴式参考设计型号为MAXREFDES104#,用于监测血氧(SpO2)、心电图(ECG)、心率、体温和运动。其算法提供心率(HR)、心率变异(HRV)、呼吸率(RR)、血氧饱和度(SpO2)、体温、睡眠质量和压力水平等临床级信息。该参考设计使可穿戴产品设计师能够立即开始数据收集,与从零开始设计这些设备相比,至少节省6个月的时间。HSP 3.0采用腕戴式设计,也适用于其他干电极形式的设备,例如胸贴和智能戒指。 与其业界领先的上一代产品相比,HSP 3.0在集成ECG方案中增加了光学SpO2测量和干电极测量能力。因此,该平台可以使终端方案监测心脏和呼吸问题,用于管理慢性阻塞性肺疾病(COPD)、传染病(例如COVID-19)、睡眠窒息症和动脉纤颤(AFib)等疾病。与其上一代产品相比,这款参考设计体积缩小了40%,采用升级版微控制器、电源、安全管理和检测IC。参考设计包括完整的光学和电极设计,结合所提供的算法,可以满足临床级测量要求。 Maxim Integrated是可穿戴医疗健康和远程病人监护技术领域的引领者,支持个性化医疗健康产品设计,帮助用户实现更好的预测性和预防性方案。医疗专家和最终用户正在使用这些可穿戴方案提供的丰富信息,能够更加主动地管理慢性疾病、诊断COVID-19等急性病,还可以改善预防保健护理和整体健康状况。随着可穿戴设备中包含的检测方式越来越多,设备开发人员能够充分利用多测量方法的优势,为用户提供更准确有效的解决方案。 HSP 3.0或MAXREFDES104#包括以下传感器、电源管理、微控制器和算法产品: ? MAX86176:噪声最低的光学光电容积脉搏波法(PPG)和电学ECG模拟前端(AFE),提供110dB信噪比(SNR),从而增加SpO2饱和度检测能力;共模抑制比(CMRR)大于110dB,以支持干电极ECG应用。 ? MAX20360:高度集成的电池和电源管理IC (PMIC),优化用于先进的体戴式健康检测设备。器件包括Maxim Integrated的高精度ModelGauge? m5 EZ电量计、精致的触觉驱动器,以及独特的低噪声升/降压转换器,最大程度提高SNR、降低光学生物检测所需功耗。 ? MAX32666:支持蓝牙(BLE)功能的超低功耗微控制器,包含两个Arm® Cortex®-M4F核和附加SmartDMA,后者允许独立运行BLE栈,使两个主核用于运行主要任务。此外,微控制器集成完整的安全套件和存储器纠错码(ECC),大大提高系统可靠性。 ? MAX32670:超低功耗微控制器,专用于Maxim Integrated领先的脉搏率、SpO2、HRV、呼吸率、睡眠质量监测和压力监测算法支持。微控制器可配置为传感器集中器(支持硬件和算法)或算法集中器(支持多种算法)。MAX32670无缝支持客户所需的传感器功能,包括管理MAX86176 PPG和ECG传感器AFE,并为外部提供原始或计算得到的数据。 ? MAX30208:低功耗、高精度数字温度传感器,采用2mm x 2mm小型封装。器件的工作电流比同等竞争器件低64%。器件读取封装顶部的温度,可安装在软电缆或PCB上,使其很容易设计到可穿戴设备中。MAX30208的精度为0.1°C,满足临床温度要求。 主要优势 ? 快速上市:开发时间至少缩短6个月。 ? 临床级精度:关于FDA对SpO2和动态ECG的要求(IEC 60601-2-47)。 ? 小尺寸:小尺寸光学设计,比上代产品缩小40%。 ? 完备的参考设计:提供完整源代码和设计文件,助力工程师的创新设计。 评价 ? “远程监护病人的生命体征比以前更重要。”IDTechEx首席分析师Nadia Tsao博士表示:“本次疫情迅速加快了远程医疗和远程病人监护等数字健康服务的普及,在某些情况下达到了1,000%。展望未来,远程病人监护对预防性健康和慢性疾病管理必将至关重要。即使在本次疫情最严重时期,我们也已经看到数十亿美元的交易、IPO和投资。” ? “本次疫情的发生,推动业界向监测临床级测量数据迈进,例如SpO2、呼吸和温度。”Maxim Integrated工业与医疗健康事业部总经理Andrew Baker表示: “开发人员不断推出创新方案,提供更深入的健康状况认知,打开改善人类健康的大门,并将人们到医疗机构就诊所需的时间降至最少,从而保持了远程病人监护的市场发展势头。” 供货及价格 ? HSP 3.0也称为MAXREFDES104#,随硬件、固件和算法一起提供,价格为400美元,可通过Maxim Integrated网站购买。 所有商标权归其所有者所有。

            时间:2020-10-30 关键词: maxim 传感器 可穿戴医疗健康设备

          • 东芝推出具有更高电源线稳定性的高纹波抑制比、低噪声LDO稳压器

            东芝推出具有更高电源线稳定性的高纹波抑制比、低噪声LDO稳压器

            中国上海,2020年10月30日——东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)今日宣布,推出由32款LDO稳压器产品组成的“TCR3RM系列”,为智能手机和可穿戴设备等移动电子设备提供更稳定的直流电源。该系列的首批产品将于今日开始出货,其他产品也将陆续上市。 新款TCR3RM系列将带隙电路、低通滤波器(仅允许通过极低频率)以及低噪声高速运算放大器相结合,旨在实现业界领先的[1]高纹波抑制比[2]和低输出噪声电压。 该系列32款产品提供的最大输出电流为300mA,输出电压在0.9V至4.5V之间。客户可根据实际应用选择输出电压。 该系列产品采用尺寸仅为1mm×1mm的紧凑型DFN4C封装,适合作为需要高密度贴装的移动设备,类似智能手机和可穿戴设备中摄像头、音频,以及射频电路的电源使用。 在普通的LDO稳压器中,当输入电压噪声频率超过1kHz时,频率每升高10倍,纹波抑制比就降低大约20dB。当噪声频率超过100kHz时,频率每升高10倍,纹波抑制比就降低大约40dB。因此,LDO稳压器可能不足以消除DC-DC转换器电路或类似电路中产生的频率超过100kHz的噪声。 新产品提供了优异的纹波抑制比和输出噪声电压特性,即使噪声频率达到或超过100kHz,也能够消除电路噪声。这有助于稳定电源电压,并提供较高的输出电压精度。 应用: · 移动设备 · 智能手机 · 可穿戴设备 · 音频系统 · 射频电路等 特性: · 高纹波抑制比: R.R.=100dB(典型值)@f=1kHz,VOUT=2.8V R.R.=68dB(典型值)@f=100kHz,VOUT=2.8V · 低输出噪声电压:VNO=5μVrms(典型值)@10Hz≤f≤100kHz · 低静态电流:IB(ON)=7μA(典型值)@IOUT=0mA · 小巧纤薄的紧凑型DFN4C封装:1.0mm×1.0mm,厚度=0.38mm(典型值) 主要规格: 注释: [1] 最大输出电流为300mA的LDO稳压器,截至2020年10月28日的东芝调研结果。 [2] 纹波抑制比(R.R.:Ripple rejection Ratio)与标明在其他制造商的产品上的电源抑制比(PSRR:Power Supply Rejection Ratio)相同。 [3] 32款产品。该数字说明输出电压达到“XX”。 [4] 控制下拉电流(ICT)除外。

            时间:2020-10-30 关键词: 东芝 低噪声 ldo稳压器

          • 结合蓝牙5和低功耗蜂窝通信的Laird Connectivity Sentrius MG100网关在贸泽开售

            结合蓝牙5和低功耗蜂窝通信的Laird Connectivity Sentrius MG100网关在贸泽开售

            2020年10月30日 – 专注于引入新品的全球电子元器件授权分销商贸泽电子 (Mouser Electronics) 即日起备货Laird Connectivity Sentrius? MG100网关。该网关基于Laird Connectivity Pinnacle 100蜂窝调制解调器,在这个微型物联网 (IoT) 网关中集成了远距离蓝牙5连接和LTE-M/NB-IoT连接。 贸泽电子分销的Laird Connectivity Sentrius MG100网关可从支持蓝牙5的传感器获取数据,然后通过全局低功耗蜂窝数据 (LTE-M/NB-IoT) 连接将它们传输到云。该产品采用的Laird Connectivity Pinnacle 100蜂窝调制解调器集成了Nordic Semiconductor nRF52840片上系统 (SoC) 以及Arm® Cortex®-M4F核心,以实现完整的蓝牙5通信功能,同时还通过集成的Sierra Wireless HL7800提供LTE-M/NB-IoT连接,并且可以使用Zephyr实时操作系统 (RTOS) 直接在微控制器上开发应用,实现简洁的无主机设计。目前,MG100网关已通过FCC、ISED和CE的监管批准,以及PTCRB、GCF和AT&T的蜂窝认证,未来还将获得更多运营商认证。 与此同时,贸泽还上架了Laird Connectivity MG100无线IoT入门套件,包含一台Sentrius MG100网关和三个Sentrius BT510传感器。这三个传感器采用创新的IP67防护等级外壳,即使在恶劣环境中也依然能够可靠地无线传输传感器数据。构成BT510传感器的是一个多功能(温度、运动/冲击,以及触点断开/闭合)传感器平台,该平台基于Laird Connectivity成熟的远距离BL654模块。作为一款超低功耗产品,Sentrius BT510只需一颗可替换的CR2477纽扣电池,便可借助简单、直观的维护运行数年。 Sentrius MG100网关和MG100无线IoT入门套件非常适合用于特定的多协议无线连接IoT应用,在这类应用中远距离蓝牙传感器直接桥接到蜂窝网络,无需访问任何本地网络基础设施。它们的目标应用包括冷链运输监控、远距离电池供电传感器、预见性维护工作以及工业物联网 (IIoT)。

            时间:2020-10-30 关键词: 蓝牙5 贸泽电子 蜂窝通信

          • 意法半导体与A*STAR和ULVAC携手合作,在新加坡成立世界首个“Lab-in-Fab”实验室,推进压电式MEMS技术应用

            · 与A*STAR的微电子研究所(IME)和日本制造工具供应商ULVAC(爱发科株式会社)合作,以压电式MEMS技术为重点研发方向 · 首创概念,旨在加快概念验证到量产的转化,并推动压电式MEMS在AR/VR、医疗和3D打印等新产品中的应用 · 预计2021年第二季度产出第一批晶圆,2022年底开始量产 中国,2020年10月30日——横跨多重电子应用领域的全球领先的半导体供应商、MEMS(微机电系统)技术的世界领导者意法半导体(STMicroelectronics,简称ST) 于日前宣布,与新加坡A * STAR IME研究所和日本领先的制造工具供应商ULVAC合作,在意法半导体新加坡晶圆厂内联合创办一条以压电式MEMS技术为重点研究方向的8英寸(200mm)晶圆研发生产线。这个全球首创的“Lab-in-Fab”研发生产线整合三个合作方在压电材料、压电式MEMS技术和晶圆制造工具领域的领先技术和优势互补的研发能力,促进新材料和工艺技术创新发展,最终加快企业客户的产品开发。 Lab-in-Fab实验室包括意法半导体在宏茂桥工业园区内的一个新建洁净室区,将配备三个合作方提供的工具设备和专用资源,为MEMS研发制程科学家和工程师提供工作场所。IME微电子在压电式MEMS器件设计、工艺集成和系统集成方面的知识库和产业驱动力将为研发生产线的发展提供积极的增值作用。IME还将提供最先进的工具设备,确保科技创新成果顺利转化为产品,全部过程都在同一地点完成。新研发生产线还将利用意法半导体现有资源,发挥在同一园区内的ST晶圆厂的规模经济优势。预计“Lab-in-Fab”设施将在2021年第二季度建成启用并产出首批晶圆,在2022年底实现量产。 意法半导体模拟器件、MEMS和传感器(AMS)产品部总裁Benedetto Vigna表示: “我们与IME和ULVAC此前已有过较长的合作经验,这次新合作旨在共同创办世界领先的压电式MEMS材料、技术和产品研发中心。这个全球首创实验室将设在意法半导体的战略要地新加坡工厂。Lab-in-Fab将让我们的客户能够轻松完成从概念可行性研究到产品量产的转化过程。” 此次合作可增强意法半导体新加坡公司现有的制造工艺组合,并加快前景广阔的新应用领域采用压电式MEMS执行器,新兴应用包括智能眼镜、AR头戴设备和激光雷达系统使用的MEMS微镜;新兴医疗设备使用的压电微机械超声波换能器(PMUT),以及商用和工业用3D打印机的压电式打印头。 IME执行院长Dim-Lee Kwong教授表示: “IME、ST和ULVAC之间的公私合作项目构建了一个独特的研发生产线,这个生产线将采用压电材料开发创新产品,增强合作伙伴的竞争力。这些努力将会让高价值的研发活动继续扎根于新加坡,并证明新加坡仍是行业龙头开展技术创新和发展业务的首选地区。A * STAR将致力于帮助本地中小企业开发、利用我们的技术。我们欢迎企业与IME合作,并利用我们的Lab-in -Fab实验室设施做概念验证。” ULVAC执行官、高级研究员Koukou SUU博士表示:“我们很高兴成为ST和IME的“Lab-in-Fab”合作伙伴,为众多前景广阔的未来应用开发先进的压电式MEMS产品,这也充分证明了ULVAC在压电MEMS制造技术解决方案市场上的领先地位。我们期待与合作伙伴密切合作,使合作圆满成功。” 编者注 压电式元器件已被广泛使用几十年,用于制造压电式执行器或传感器。在过去的几年中,工艺技术的创新使MEMS行业能够使用压电膜研制晶圆级产品,为持续的小型化、性能改进和成本降低奠定了基础。 2019年,意法半导体庆祝新加坡工厂成立50周年,同时宣布全新的8英寸(200mm) 晶圆生产线(SG8E)在新加坡落成开工;2020年,“Lab-in-Fab”研发生产线项目启动。

            时间:2020-10-30 关键词: mems 意法半导体 ulvac

          • 使用超级电容储能:多大才足够大?

            使用超级电容储能:多大才足够大?

            问题:为备用电源系统选择超级电容时,可以采用简单的能源计算方法吗? 答案:简单的电能计算方法可能达不到要求,除非您将影响超级电容整个生命周期的储能性能的所有因素都考虑进去。 简介 在电源备份或保持系统中,储能媒介可能占总物料成本(BOM)的绝大部分,且占据大部分空间。优化解决方案的关键在于仔细选择元件,以达到所需的保持时间,但又不过度设计系统。也就是说,必须计算在应用使用寿命内满足保持/备份时间要求所需的储能量,而不过度储能。 本文介绍考虑超级电容在其使用寿命期间的变化,在给定保持时间和功率下选择超级电容和备用控制器的策略。 静电双层电容(EDLC)或超级电容(supercaps)都是有效的储能设备,可以弥补更大更重的电池系统和大容量电容之间的功能差距。相比可充电电池,超级电容能够承受更快速地充放电周期。因此在电能相对较低的备用电源系统、短时充电系统、缓冲峰值负载电流系统和能量回收系统中,超级电容用于短期储能比电池更好(参考表1)。在现有的电池-超级电容混合系统中,超级电容的高电流和短时电源功能是对电池的长持续时间、紧凑储能功能的有效补充。 表1.EDLC和锂离子电池之间的比较 *为了保持合理的使用寿命 需注意,超级电容承受高温和高电池电压会缩短超级电容的使用寿命。必须确保电池电压不超过温度和电压额定值,在需要堆叠超级电容,或者输入电压无法获得有效调节的应用中,这些参数符合工作规格要求(参见图1)。 图1.过度简单的设计导致超级电容充电方案存在风险的示例 使用分立式组件很难构建出可靠又高效的解决方案。相比之下,集成式超级电容充电器/备用控制器解决方案易于使用,且一般提供以下大部分或全部功能: ? 无论输入电压如何变化,都能稳定调节电池电压 ? 各个堆叠电池可实现电压平衡,确保无论电池之间是否失配,都在所有运行条件下提供匹配的电压 ? 电池电压保持低传导损耗和低压差,确保系统能从给定的超级电容获取最大电量 ? 浪涌限流,支持带电插入电路板 ? 与主机控制器通信 选择合适的集成式解决方案 ADI公司提供一系列集成式解决方案,均采用所有必需的电路,通过单个IC提供备用系统的所有基本功能。表2总结了一些ADI公司超级电容充电器的功能。 对于采用3.3 V或5 V供电轨的应用,可以考虑: ? LTC3110:2 A双向降压-升压型DC-DC稳压器和充电器/平衡器 ? LTC4041:2.5 A超级电容备份电源管理器 对于采用12 V或24 V供电轨的应用,或者如果需要高于10 W的备用电源,可以考虑: ? LTC3350:大电流超级电容后备控制器和系统监视器 ? LTC3351:可热插拔的超级电容充电器、后备控制器和系统监视器 如果您的系统需要使用主降压稳压器来调节3.3 V或5 V供电轨,使用内置升压转换器来备份,使用单个超级电容或其他能源进行临时备份或断电应急操作,您应该考虑: ? LTC3355:20 V、1 A降压型DC-DC系统,带集成式超级电容充电器和后备稳压器 ADI公司还提供许多其他恒流/恒压(CC/CV)解决方案,可用于为单个超级电容、电解电容、锂离子电池或NiMH电池充电。有关超级电容解决方案的更多信息,请访问analog.com。 有关其他解决方案的更多信息,请联系当地FAE或地区支持团队。 计算保持或备份时间 在设计超级电容储能解决方案时,多大才足够大?为了限定讨论分析的范围,我们将重点探讨高端消费电子产品、便携式工业设备、电能计量和军事应用中使用的经典保持/备份应用。 表2.集成式超级电容充电器解决方案的功能概览 *可以配置用于四个以上电容 这项设计任务就相当于一位徒步旅行者确定进行一天徒步旅行需要带多少水。带少量水上山一开始肯定很轻松,但他可能过早地将水喝完,尤其是在艰难的徒步行程中。而携带一大瓶水的话,徒步旅行者需要背负额外的重量,但可以在整个旅程中可以保持充足饮水。此外,徒步旅行者还需要考虑天气状况:天热时多带水,天冷时少带水。 选择超级电容与此非常类似;保持时间和负载与环境温度一样,都非常重要。此外,还必须考虑标称电容的使用寿命退化,以及超级电容本身的ESR。一般而言,超级电容的寿命终止(EOL)参数定义为: ? 额定(初始)电容降低到标称电容的70%。 ? ESR达到了额定初始值的两倍。 这两个参数在以下计算中非常重要。 要确定电源组件的大小,需要先了解保持/备份负载规格。例如,在电源故障的情况下,系统可能会禁用非关键负载,以便将电能传输给关键电路,例如那些将数据从易失性存储器保存到非易失性存储器的电路。 电源故障有多种形式,但备份/保持电源通常必须支持系统在持续故障时平稳关闭,或在出现短暂的电源故障时继续运行。 这两种情况下,都必须根据备份/保持期间需要支持的负载总量,以及必须支持这些负载的时间,来确定组件大小。 保持或备份系统所需的能量: 电容中储存的电能: 根据设计常识和经验,要求电容中存储的电能必须大于保持或备份所需的电能: 这可以粗略估算出电容的大小,但不足于确定真正可靠的系统所需的大小。必须确定关键细节,比如造成电能损失的各种原因,这些最终可能导致需要更大的电容。电能损失分为两类:因DC-DC转换器效率导致的损失,以及电容本身导致的损失。 如果在保持或备份期间,由超级电容为负载供电,还必须知道DC-DC转换器的效率。效率取决于占空比(线路和负载)条件,可以从控制器数据手册获取。表2中器件的峰值效率为85%到95%,在保持或备份期间随负载电流和占空比不同而变化。 超级电容电能损失量相当于我们无法从超级电容中提取的电能量。这种损耗由DC-DC转换器的最小输入工作电压决定,取决于DC-DC转换器的拓扑,称为压差。这是在比较集成式解决方案时需要考虑的一个重要参数。 采用前面的电容电能计算方法,减去低于VDropout时无法获取的电能,可以得到: 那么,VCapacitor呢?很显然,将VCapacitor设置为接近其最大额定值会增加存储的电能,但这种策略存在严重的缺陷。通常,超级电容的绝对最大额定电压为2.7 V,但典型值为2.5 V或低于2.5 V。这是考虑到应用的使用寿命,以及额定的工作环境温度(参见图2)。在较高的环境温度下使用较高的VCapacitor,会降低超级电容的使用寿命。对于需要很长的使用寿命或在相对较高的环境温度下运行的稳健应用,建议使用较低的VCapacitor。各超级电容供应商通常根据嵌位电压和温度来提供估计使用寿命的特性曲线。 图2.使用寿命与嵌位电压的关系图(以温度作为关键参数) 最大功率传输定理 必须考虑的第三个影响因素不是特别明显:最大功率传输定理。为了从具有等效串联电阻的超级电容源获得最大外部功率(参见图3),负载电阻必须等于源电阻。本文交替使用耗尽、备份或负载几种表述,在这里它们都表示相同的意思。 图3.从具有串联电阻的电容堆栈供电 如果我们将图3中的示意图作为戴维南等效电路,可以使用以下公式,轻松计算出负载的功耗: 为了计算最大的功率传输,我们可以对前一个公式求导,求出它为零时的条件。RSTK = RLOAD时就是这种情况。 让RSTK = RLOAD,可以得出: 这也可以直观地理解。也就是说,如果负载电阻大于源电阻,由于总电路电阻增大,负载功率会降低。同样,如果负载电阻低于源电阻,则由于总电阻降低,大部分功耗在电容源内;类似的,负载中消耗的功率也降低。因此,对于给定的电容电压和给定的堆栈电阻(超级电容的ESR),当源阻抗和负载阻抗匹配时,可传输功率最大。 图4.可用功率与堆栈电流的关系曲线 关于设计中的可用电能有一些提示说明。由于堆叠式超级电容的ESR固定不变,所以在备份操作期间唯一变化的值就是堆栈电压,当然也包括堆栈电流。 为了满足备份负载的要求,随着堆栈电压降低,支持负载所需的电流增加。遗憾的是,电流增加到超过定义的最佳水平时,会增加超级电容的ESR损失,从而导致可用备份功率降低。如果这种情况发生在DC-DC转换器达到其最低输入电压之前,则会转化为额外的可用电能损失。 图5.此图显示某些输出功率所需最小VIN的推导过程 图5显示可用功率与VSTK的函数关系图,假设最优电阻与负载匹配,备用功率为25 W。此图也可以视为无单位时基:当超级电容满足所需的25 W备份功率时,超级电容向负载放电,堆栈电压随之降低。在3 V时,存在一个拐点,此时负载电流高于最优水平,导致负载的可用备用功率降低。这是系统的最大输出功率点,就在这个点,超级电容的ESR损失增加。在这个示例中,3 V明显高于DC-DC转换器的压差,所以不可用电能完全由超级电容引起,导致调节器未得到充分利用。理想情况下,超级电容达到压差,使得系统供电能力达到最高。 使用之前的PBACKUP方程,我们可以求解VSTK(MIN)同样,我们也可以考虑升压转换器的效率,并将其加到这个公式中: 升压运算: 使用这个下限值VSTK(MIN),我们可以从最大和最小电池电压中得出电容利用率αB: 在确定备份时间时,不仅超级电容的电容值至关重要,电容的ESR也同样重要。超级电容的ESR决定了有多少堆栈电压可用于备份负载,也就是利用率。 由于从输入电压、输出电流和占空比方面来看,备份过程是一个动态过程,所以计算所需堆栈电容的完整公式不会像前面的版本那么简单。可以看出,最终公式为: 其中η = DC-DC转换器的效率。 超级电容备份系统设计方法 根据前面介绍的概念和计算说明,超级电容备份系统设计方法总结如下: ? 确定PBackup和tBackup的备份要求。 ? 针对所需的电容使用寿命确定最大电池电压VSTK(MAX)。 ? 选择堆叠电容数量(n)。 ? 为超级电容选择所需的利用率αB(例如,80%到90%)。 ? 求解得出电容CSC: ? 找到具有足够CSC的超级电容,并检验是否满足最低RSC公式: 图6.采用25 F电容的36 W、4秒保持时间系统和LTC3350/LTC3351的计算结果 图7.采用45 F电容系统和LTC3350/ LTC3351的计算结果 如果没有合适的电容,可以选择更高的电容、更高的电池电压、更多的堆叠电容或更低的利用率进行迭代。 考虑超级电容的寿命终止因素 对于必须达到一定使用寿命的系统,使用前面所述方法并考虑EOL值时必须进行相应更改,一般采用70% CNOM、200% ESRNOM。这使计算变得复杂,但是大部分ADI超级电容管理器都可以使用产品页面上现有的电子表格工具进行计算。 我们以LTC3350为例来使用简化方法: ? 所需的备用功率为36 W,持续时间为4秒。 ? 为实现更长的使用寿命/支持更高的环境温度,将VCELL(MAX)设置为2.4 V。 ? 四个电容以串联方式堆叠在一起。 ? DC-DC效率(?)为90%。 ? 使用最初推测的25 F电容,通过电子表格工具可得出结果,如图6所示。 基于最初推测的25 F电容,我们使用标称值得出了所需的4秒备份时间(具有25%的额外裕量)。但是,如果我们考虑ESR和电容的EOL值,我们的备份时间几乎缩短一半。若要使用电容的EOL值获得4秒备份时间,我们必须至少修改其中一个输入参数。由于它们大多是固定值,因此电容是最容易增加的参数。 ? 将电容增加至45 F,通过电子表格工具得出结果,如图7所示。 使用45 F时,由于标称值提供了长达9秒的备份时间,增加的幅度似乎很大。但是,通过添加CAPEOL和ESREOL参数,并得出6.2 V最低堆栈电压之后,考虑EOL时的备份时间骤降一半。但是,这仍然满足我们需要4秒备份时间的要求,并且具有5%的额外裕量。 额外的超级电容管理器功能 LTC3350和LTC3351通过集成ADC提供额外的遥测功能。这些部件可以测量超级电容堆栈的系统电压、电流、电容和ESR。进行电容和ESR测量时,对在线系统的影响也极小。器件配置和测量通过I2C/SMBus进行通信。因此系统处理器能够在应用的生命周期内监控重要参数,确保可用的备份电源满足系统要求。 LTC3350和LTC3351能够实时测量超级电容堆栈的电容和ESR,使用新电容时可降低钳位电压,从而轻松满足备份要求。接收遥测数据的处理器可以进行编程,以实施上述计算。因此系统可实时计算满足备份时间所需的最小箝位电压,并考虑实时电容和ESR。该算法将进一步提高超级电容备份系统的使用寿命,如图2所示,在高温条件下,即使钳位电压稍微降低,也会显著延长超级电容的寿命。 最后,LTC3351具有热插拔控制器,用于提供保护功能。热插拔控制器使用背对背N通道MOSFET提供折返限流功能,可减少高可用性应用中的浪涌电流和短路保护。 结论 利用标称值下的电能传输基础知识,可以将计算满足备用规格所需的电容值转换为简单的计算所需功率,以及存储功率问题。遗憾的是,当您考虑最大功率传输、电容器的EOL电容和ESR的影响时,这种简单的方法无法满足要求。这些因素会极大地影响系统在整个寿命周期内的可用电能。利用ADI的集成超级电容解决方案和大量可用的备份时间计算工具,模拟工程师可以胸有成竹地设计和构建可靠的超级电容器备份/保持解决方案,不仅能够在应用的使用寿命内满足设计要求,而且对成本的影响极小。

            时间:2020-10-30 关键词: adi 电容 储能

          • 意法半导体将携行业领先的智能出行、电力&能源管理、IoT&5G解决方案亮相2020年慕尼黑华南电子展

            中国深圳,2020年10月30日——横跨多重电子应用领域的全球领先的半导体供应商意法半导体(STMicroelectronics,简称ST)将参展2020年慕尼黑华南电子展(11月3-5日)。以“意法半导体,科技始之于你”为主题,我们将展示行业领先的智能出行、电力&能源管理、物联网&5G产品及解决方案。 智能出行:意法半导体展台里的模型车头和GNSS墙将展示意法半导体为汽车数字化和电动化推出的各种智能出行解决方案产品组合。本次演示的产品包括可简化原型开发的摩托车仪表评估套件,让后座遥控更智能、更多乐趣的Accordo5车载信息娱乐系统处理器,用于车载信息娱乐系统的最新D类音频功率放大器、车载智能屏互联系统、电池管理系统、车载充电器和主驱逆变器。 其他智能出行解决方案包括用于车内驾驶员监控系统的HDR全局快门传感器,基于CCC v2的安全汽车数字钥匙、用于汽车门禁的NFC 、以及高精度定位解决方案。 电力&能源管理:在本次慕尼黑华南电子展上,意法半导体将展示各种自动化解决方案,其中包括集成了KNX-TP和蓝牙低功耗(BLE) 控制系统的演示套件,该套件可通过移动应用程序远程控制灯光的方式,实现家庭和楼宇的自动化。 为了突显广泛的电力和能源、电机控制和自动化产品组合,ST还将展示位置控制演示板、基于VIPER122 / VIPER222的降压转换器,以及便携式振动监测解决方案。 物联网和5G:意法半导体将带来最新的无线连接解决方案,包括为基于STM32WL远程无线微控制器的计量应用推出的无线智能抄表解决方案。ST还会在现场为观众演示如何使用卷积神经网络(CNN)模型自动读取仪表上的数字。 此外,意法半导体将展出物联网安全解决方案,包括提供各种功能促进互联设备整合的STSAFE-A110安全元件。它拥有预置AWS兼容的证书,可快速安全地连接到亚马逊 AWS IoT云端。 其他物联网和& 5G解决方案包括:STM32L5-DK AI + 低功耗 + 安全演示板、STM32WL LoRa®入网上云方案、带有ST压力传感器的呼吸口罩、SensorTile.box、ST ToF 机器人避障解决方案以及NFC无线支付方案。 技术研讨会和现场互动 在2020年慕尼黑华南电子展上,意法半导体参与的技术研讨会和举办的现场互动活动如下: · 11月3日(周二),14:30-15:00,Eric DONG(董恺)将在 蓝牙生态峰会(现场论坛区10号厅)发表主题为“传感器在TWS中的应用”的演讲。 · 11月4日(周三),13:45-14:15,Zunian PENG(彭祖年)将在 国际嵌入式系统创新论坛(现场论坛区10号厅)发表主题为“STM32为您打开工业物联之门”的演讲。 · 11月3至5日,意法半导体专家将在开放演讲区(意法半导体展位内)带来多场汽车、工业和IoT相关的话题演讲,并与观众进行现场互动。 欲详细了解我们的展品及现场活动,欢迎于2020年11月3-5日2020年慕尼黑华南电子展期间莅临法半导体展位(10号厅,展位10H1)。此外,您还可以在会前浏览我们的线上展台,足不出户即可先睹为快。

            时间:2020-10-30 关键词: 意法半导体 IoT 慕尼黑华南电子展

          • 聚焦芯生态,贸泽电子赞助2020中国(深圳)集成电路峰会

            2020年10月29日 – 专注于引入新品并提供海量库存的电子元器件分销商贸泽电子 (Mouser Electronics) 宣布赞助支持2020中国(深圳)集成电路峰会(IC峰会)。大会为期两日,于10月29-30日在深圳华侨城洲际大酒店召开。本届峰会将以“新时期,芯生态”为主题,以新时期创新共赢、开放合作为理念,聚焦集成电路设计产业、研讨先进特色制造和封装工艺、探索创新生态体系、促进产品创新应用。 近年来,在国家政策扶持以及市场应用带动下,中国集成电路产业发展非常迅速。随着传统产业的转型升级,一些大型、复杂的自动化系统开发应用不仅提高了对芯片的需求,还要求国内集成电路产业在全面提升创新能力、优化产业链结构上能够快速提升。为进一步促进中国集成电路产业发展,此次峰会将面向包括集成电路设计、制造、封测、应用等集成电路行业上下游全链条的专业人士,邀请国内外著名院士、专家学者、技术大咖和企业家围绕集成电路关键核心技术与产业化、集成电路产业链生态建设和协同发展、未来技术发展与热点应用、资本整合与产业模式创新、芯片与整机企业联动等主题进行研讨和交流。贸泽电子作为全球电子元器件分销商,深知集成电路的发展对国家的重要性,对本次峰会进行赞助和支持,以行业之力积极投身到集成电路产业的建设中。 贸泽电子亚太区市场及商务拓展副总裁田吉平女士表示:“集成电路是支撑国民经济和引领科技前进的关键力量,贸泽电子也一直坚信,充分利用全球资源加强合作和创新,加大对国内集成电路行业的人才培养,将有助于集成电路产业更好地发展。近年来,贸泽电子也在不断地拓展全球集成电路的合作资源,帮助从事集成电路领域的工程师提供新产品和技术支持,并就集成电路方面与原厂携手开展各类专题活动,让工程师能够获得更多的技术知识,以更好地运用到实际的研发创新中。同样,本次集成电路峰会的举办更是为集成电路产业相关的人士提供了全面、丰富、专业的交流平台,贸泽电子也会始终保持对国内集成电路产业的关注,深化创新与合作,助力整体集成电路产业继续蓬勃发展。”

            时间:2020-10-29 关键词: ic 贸泽电子 集成电路峰会

          • Nexperia将首次亮相第三届中国国际进口博览会

            Nexperia将首次亮相第三届中国国际进口博览会

            奈梅亨,2020年10月29日:半导体基础元器件生产领域的高产能生产专家Nexperia将首次亮相于2020年11月5日至10日在上海举办的第三届中国国际进口博览会并将全方位介绍Nexperia如何运用逻辑IC、分立器件、MOSFET和GAN FET等创新器件推动全球各类电子设计的发展。 Nexperia凭借多元化、高产能的产品组合和行业领先的小封装技术引领全球市场。Nexperia生产约15,000种产品,每年新增800余种新产品。作为未来创新技术的推动者,Nexperia展台位于本届中国国际进口博览会4.1馆(展位号为4.1A4-002)。Nexperia展台面积多达200平方米,将展出汽车、工业、移动、计算机和消费电子领域的最新产品和技术,同时通过充满现代科技感的移动触摸屏等炫目展示方式为观众带来更多互动式的产品体验,领略我们如何助力赋能所服务不同领域的终端应用。 Nexperia为多个汽车应用领域贡献力量,约270款Nexperia产品运用在不同的汽车应用中,例如:汽车和电动汽车动力系统、汽车直流电机控制和车载充电器等。面对快速发展的国内电动车市场和客户对氮化镓(GaN)器件日益增长的需求,Nexperia重点向观众推介了650 V硅基氮化镓场效应管器件。新一代氮化镓技术针对汽车、5G 和数据中心等应用,可在高频下运行,具有更高击穿电压和更大电流承载能力。Nexperia将二十年的铜夹片SMD封装专业技术及CCPAK的发展应用于GaN的系列产品, 让Nexperia可靠的高性能技术为高压封装的创新铺平道路。 凭借经过验证的产品组合与终生可靠性,Nexperia面向工业领域的解决方案将展示Nexperia如何帮助实现第四代工业革命所需的创新和生产力提升,包括5G基础架构。 在移动通信领域,Nexperia深刻体会到手机行业为什么要将更多功能融入更小的封装体积中,同时还要不断推动效率和性能提升。为此,Nexperia展示了界领先的小封装,帮助满足最具挑战性的体积要求的产品。 Nexperia提供许许多多服务于计算机与消费电子领域的创新产品和应用,展品包括用于笔记本电脑、数据中心、物联网、无人机和家庭医疗保健的产品和应用。 第三届中国国际进口博览会将于2020年11月5日至10日在上海国家会展中心举行,来自世界500强和行业龙头的药品、医疗器械、乳业、化妆品、高端消费品、汽车、工程机械等企业都将积极参展。

            时间:2020-10-29 关键词: 半导体 博览会 nexperia

          • Microchip 推出汽车用700/1200V 碳化硅(SiC)肖特基势垒二极管

            Microchip 推出汽车用700/1200V 碳化硅(SiC)肖特基势垒二极管

            汽车电气化浪潮正席卷全球,电动汽车搭载的电机、车载充电器和DC/DC转换器等高压汽车系统都需要碳化硅(SiC)等创新电源技术。Microchip Technology Inc.(美国微芯科技公司)今日宣布推出最新通过认证的700和1200V碳化硅(SiC)肖特基势垒二极管(SBD)功率器件,为电动汽车(EV)系统设计人员提供了符合严苛汽车质量标准的解决方案,同时支持丰富的电压、电流和封装选项。 Microchip新推出的器件通过了AEC-Q101认证,对于需要在提高系统效率的同时保持高质量的电动汽车电源设计人员来说,可以最大限度地提高系统的可靠性和耐用性,实现稳定和持久的应用寿命。新器件卓越的雪崩整流性能使设计人员可以减少对外部保护电路的需求,降低系统成本和复杂性。 Microchip分立产品业务部副总裁Leon Gross表示:“作为汽车行业的长期供应商,Microchip持续拓展车用电源解决方案,引领汽车电气化领域的电源系统转型。我们一直专注于提供汽车解决方案,帮助客户轻松过渡到碳化硅(SiC),同时将质量、供应和支持挑战的风险降至最低。” Microchip作为汽车行业供应商的历史已经超过25年。公司拥有碳化硅(SiC)技术以及多个通过IATF 16949:2016认证的制造工厂,可通过灵活的制造方案提供高质量器件,帮助最大限度地降低供应链风险。 经过Microchip内部以及第三方测试,关键可靠性指标已经证明,与其他厂商生产的SiC器件相比,Microchip 的器件性能更加卓越。与其他在极端条件下出现性能下降的碳化硅( SiC) 器件不同,Microchip 器件性能保持稳定,有助于延长应用寿命。Microchip 碳化硅(SiC)解决方案的可靠性和耐用性在业界处于领先水平。其耐用性测试表明,Microchip 的碳化硅肖特基二极管(SiC SBD)在非箝位电感开关(UIS)中的能量承受能力提升20%,在高温下电流泄漏水平最低,从而可以延长系统寿命,实现更可靠的运行。 Microchip 的 SiC 汽车功率器件进一步拓展了其丰富的控制器、模拟和连接解决方案产品组合,为设计人员提供电动汽车和充电站的整体系统解决方案。Microchip还利用最新一代碳化硅(SiC)裸片,提供700、1200和1700V 碳化硅肖特基二极管(SiC SBD)和金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)功率模块的广泛产品组合。此外,Microchip推出的dsPIC?数字信号控制器可提供高性能、低功耗和灵活的外设。Microchip的AgileSwitch?系列数字可编程门驱动器进一步加快了从设计阶段到生产的进程。这些解决方案还可应用于可再生能源、电网、工业、交通、医疗、数据中心、航空航天和国防系统。 开发工具 Microchip 通过 AEC-Q101 认证的碳化硅肖特基二极管(SiC SBD) 器件支持 SPICE 和 PLECS 仿真模型以及 MPLAB? Mindi? 模拟仿真器。同时还提供Microchip SBD(1200V, 50A)作为功率级的一部分的PLECS参考设计模型,即Vienna三相功率因数校正(PFC)参考设计。 供货与定价 Microchip车用的700和1200V SiC SBD器件(也可作为功率模块的裸片)已经通过AEC-Q101认证,现已开始接受批量订单。如需了解更多信息,请联系Microchip销售代表、全球授权经销商或访问Microchip网站。

            时间:2020-10-29 关键词: Microchip sic 肖特基势垒二极管

          • 意法半导体推出世界首个多合一的多区直接ToF传感器模块

            · 更高的摄像头视场角和空间分辨率,让消费电子影像系统实现新功能:触摸对焦、多目标识别、闪光灯亮度调整、视频跟踪辅助 · 模块集成单光子雪崩二极管阵列、广视场角光学元件和低功耗处理器 中国,2020年10月29日—— 横跨多重电子应用领域的全球领先的半导体供应商意法半导体(STMicroelectronics,简称ST)扩大其FlightSense? 飞行时间(Time-of-Flight,简称ToF)传感器产品组合阵容,推出业界首个64区测距传感器。该多区传感器可把场景分成若干个区域,帮助成像系统更好地了解场景空间细节。 该同类首创产品集成940nm垂直腔表面发射激光器(VCSEL)光源、集成了VCSEL驱动器的SoC传感器、单光子雪崩二极管(SPAD)接收阵列和运行复杂固件的低功耗32位MCU内核及加速器。VL53L5保留了意法半导体所有 FlightSense传感器的1类认证,在消费类产品中绝对符合人眼安全标准。 VL53L5 ToF传感器封装在一个微型模块内,接收孔上的光学元件可以创建64个测距区,从而解锁许多新功能和用例。 意法半导体影像事业部总经理Eric Aussedat表示:“VL53L5 FlightSense多区直接ToF传感器采用了我们最先进的40nm SPAD制造工艺,最大测距距离可达4米,测距区域多达64个,有助于成像系统了解场景空间细节。VL53L5测距区数量是上一代的64倍,可大幅提升激光自动对焦、触摸对焦、存在检测和手势界面的性能,同时帮助开发人员开发更多创新的影像应用。” 意法半导体为FlightSense传感器构建了一个垂直集成制造模型,SPAD晶片在先进的法国Crolles12英寸晶圆厂生产,采用40nm专有硅制造工艺,然后在亚洲的意法半导体封装厂组装所有模块组件,这种制造方法可为客户提供卓越的产品质量和可靠性。 意法半导体与主要的智能手机和PC机平台厂商建立了密切的合作关系并已将传感器预先集成到这些平台上,客户可凭借此合作关系来更好地使用VL53L5进行应用开发。FlightSense产品在市面上有大量的Android和Windows设备驱动程序可用。VL53L5 现已量产,已向业界领先的无线设备和计算机厂商的出货数百万颗。 技术详情 每一代新产品推出,意法半导体的ToF技术都能让各种应用取得重大的性能改进,其中包括控制笔记本电脑或显示器唤醒和休眠的用户存在检测,以及智能手机摄像头的混合对焦算法的激光自动对焦,据独立的图像质量评测机构DXOMARK的报告,大多数排名靠前的智能手机相机都内置了意法半导体的FlightSense传感器的自动对焦功能。 摄像头子系统是区分智能手机性能高低的主要因素,在低光照场景或拍摄低对比度目标时,摄像头内部的激光自动对焦功能确保对焦快速、准确。对于传统自动对焦系统来说,低光照场景或低对比度目标,是一个严峻的挑战,但对ST的传感器来说却不是问题。ST的FlightSense激光自动对焦嵌入技术已被主要的智能手机OEM厂商广泛采用,目前已在150多款手机中出货。 VL53L5封装在6.4 x 3.0 x 1.5 mm的模块中,发送镜头和接收镜头都集成到模块上,并将模块对角线视场角(FoV)扩展到61度。这种广视场角特别适合检测不在图像中心的物体,并确保在图像的各个角落都能完美自动对焦。 在“激光自动对焦”应用场合,VL53L5可以收集整个视场中多达64个区域的测距数据,支持“触摸对焦”和许多其他功能。这种灵活可变性大大提高了智能手机/相机的性能、便利性和多功能性。 通过SPAD阵列可以获得更大的灵活性,该阵列可设为空间分辨率优先,以最快15fps的速度输出所有64个区域的测距数据;或者设为最大测距距离优先,其中传感器以60fps的帧率输出4x4/16个测距区。 意法半导体的体系结构可以自动校准每个测距区,并且直接ToF技术支持每个区检测多个目标,不受玻璃盖板反射光的影响。此外,FlightSense方案是通过SPAD阵列收集原始数据,并通过专有的嵌入式MCU和加速器执行后处理,然后通过I2C或SPI总线将测距数据传输到系统主处理器,因此,不需要特定的相机接口和功能强大的接收器MCU,并确保质量和性能出色。

            时间:2020-10-29 关键词: 传感器 意法半导体 tof

          • Socionext携纵行科技、Techsor共同开发新一代ZETA通信芯片

            SoC 设计与应用技术领导厂商Socionext Inc.(以下“Socionext”)联合LPWA(低功耗广域网)的ZETA标准创始公司纵行科技和ZETA日本联盟的代表理事公司Techsor宣布,共同开发基于“Advanced M-FSK调制方法”的新一代ZETA通信芯片。 新一代ZETA通信芯片采用纵行科技提倡的全新“Advanced M-FSK调制方法”通信基带技术和 Socionext独有的RF技术和数字调制/解调技术。与原先的2FSK技术相比,该芯片在典型LPWA场景下传输速率提高了20倍以上,灵敏度提高了10dB以上,即使是采用纸电池(Printed Battery)供电并应用于60km / h的速度移动的物体,也能实现3-5km的有效通讯距离。 通过“Advanced M-FSK调制方法”实现高性能ZETA LPWA 物联网时代,市场上各种各样的无线技术相互交错。其中,LPWA (Low Power Wide Area) 无线技术无疑已成为实现传感器网络的重要通信基础,它的优势在于通讯距离长(可达3-15km)和低功耗(电池供电使用寿命长达3-5年)。但与此同时,LPWA也存在通信速率低、难以覆盖及监测移动物体等问题。面对这一课题,纵行科技研发了“Advanced M-FSK调制方法”,对ZETA的无线通信调制/解调处理的物理层进行了提升。新方法可兼容市场上常见的低阶FSK调制方法标准以及低成本RF组件,满足基本的低成本LPWA通信要求。此外,它还提升了FSK调制阶数(例如到256),并结合特殊通信编码技术和导频检测技术,提升低功耗通信信号传输范围和传输速率。 仿真测试结果显示,与典型ZETA方法和其他LPWA标准相比,采用“Advanced M-FSK调制方法”的ZETA技术可以将传输速度提高20倍以上,灵敏度提高10 dB以上,理想环境下最高接收灵敏度能达到-150dbm。 除Advanced M-FSK调制方式外,本次新开发的ZETA通信芯片物理层采用了Socionext独创的RF技术和数字调制/解调技术,可实现高性能、低功耗的物联网硬件大规模应用。 据悉,此次共同开发的新一代SoC将在2021年Q1开始设计并进行流片准备工作。 Socionext汽车及工业事业部长谷川照晃表示:“继上次宣布ZETag SoC合作后,我们充分利用公司在尖端SoC和高性能RF /数字调制/解调技术上的优势,打造新一代ZETA Advanced M-FSK模组。与常规2FSK调制方法实现的ZETA相比,新方法可大幅改善性能。公司期望通过实现优于其他LPWA的无线技术,推进IoT大规模应用。” “非常期待与Socionext的合作”,纵行科技CEO李卓群博士说:“我们将一起通过实现高性能ZETA物理层的概念实现更高级别的ZETA无线技术,这是将基础研发成果应用于具体商业产品的一个典型案例。通过应用Advanced M-FSK技术,ZETA在网络架构级别和物理层都将领先于其他LPWA技术,从而进一步推动ZETA技术的普及。” Techsor CEO朱强表示:“继ZETag SoC的联合开发后,我们与联盟成员共同推出新一代ZETA无线技术,联盟成员间的合作增强了竞争力并加速推动了ZETA在全球的发展。未来,我们还将继续开展跨国界合作,与联盟成员一起为实现超级智慧社会做出贡献。

            时间:2020-10-29 关键词: socionext 通信芯片 techsor

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